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STB20NM60T4价格
参考价格：￥20.3742
型号：STB20NM60T4 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB20NM60T4多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB20NM60T4批发/采购报价，STB20NM60T4行情走势销售排行榜，STB20NM60T4报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STB20NM60T4 | N-CHANNEL600V-0.25ohm-20ATO-220/FP/D2PAK/I2PAKMDmeshPowerMOSFET Features 1.Highdv/dtandavalanchecapabilities 2.100avalanchetested 3.Lowinputcapacitanceandgatecharge 4.Lowgateinputresistance Applications 1.Switchingapplications Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultiple | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  |   |
STB20NM60T4 | N-channel600V-0.25廓-20A-TO-247-TO-220/FP-D2/I2PAKMDmesh??PowerMOSFET Features 1.Highdv/dtandavalanchecapabilities 2.100avalanchetested 3.Lowinputcapacitanceandgatecharge 4.Lowgateinputresistance Applications 1.Switchingapplications Description TheMDmesh™isanewrevolutionaryPowerMOSFETtechnologythatassociatesthemultiple | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 | | |
STB20NM60T4产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB20NM60T4
- 功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-263-3 |
8800 |
公司只做原装正品 |
|||
STM |
23+ |
NA |
8000 |
全新原装假一赔十 |
|||
ST |
2020+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ST(意法) |
22+ |
BGA-100 |
6800 |
||||
ST/意法 |
D2PAK |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
||||
STM |
21+ |
N/A |
6000 |
深圳通 |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
ST/意法 |
21+ |
D2-PAK |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
TO-263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
ST/意法 |
2023+ |
TO-263 |
1000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
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2021-9-18
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