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STB18N65M5价格
参考价格：￥7.2015
型号：STB18N65M5 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有STB18N65M5多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，STB18N65M5批发/采购报价，STB18N65M5行情走势销售排行榜，STB18N65M5报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STB18N65M5 | N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring hi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STB18N65M5 | N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring hi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STB18N65M5 | Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：289.17 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
STB18N65M5 | N沟道650 V、0.198 Ohm典型值、15 A MDmesh M5功率MOSFET，D2PAK封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Higher VDSS rating • Excellent switching performance • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Switching applications | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 650 V, 0.198 廓 typ., 15 A MDmesh??V Power MOSFET in D짼PAK and DPAK packages Description These devices are N-channel Power MOSFETs based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting products offer extremely low on-resistance, making them particularly suitable for applications requiring hi | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STB18N65M5产品属性
- 类型
描述
- 型号
STB18N65M5
- 功能描述
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3583 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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ST/意法 |
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24+ |
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原装现货,实单价优 |
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STA516BETR音频IC现货供应
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