STB14NM65N价格

参考价格:¥18.3582

型号:STB14NM65N 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STB14NM65N多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STB14NM65N批发/采购报价,STB14NM65N行情走势销售排行榜,STB14NM65N报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STB14NM65N

N-channel 650 V, 0.33 廓, 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

Description This series of devices is designed using the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest onresistance and gate charge. It is therefore suitable for the mos

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STB14NM65N

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.38Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STB14NM65N

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03992 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-channel 650 V, 0.33 廓, 12 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

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意法半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03924 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STB14NM65N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STB14NM65N

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
200
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ST/意法
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
STMicroelectronics
21+
D2PAK
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
ST
17+
D2PAK
6200
ST
24+
TO-263
7500
VBsemi
23+
TO-263
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
ST
25+
D2PAK
37650
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ST/意法
22+
N
28000
原装现货只有原装.假一罚十
ST
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
8000
只做原装现货
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产

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