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High voltage fast-switching NPN power transistor

Description The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure to enhance switching speeds. General features ■ Improved specification: Lower leakage current, Tighte

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-18 9:07:01
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