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N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET

General Features ■ WORLDWIDE LOWEST GATE CHARGE ■ TYPICAL RDS(on) = 0.088Ω ■ IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO ■ VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX) ■ VERY LOW THERMAL RESISTANCE ■ LOW GATE RESISTANCE ■ LOW INPUT CAPACITANCE ■ HIGH dv/dt and AVALANCHE CAPABILITIES DESCRIPTION This 200V MO

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 200V - 0.088廓 - 20A PowerFLAT??ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh??II MOSFET

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意法半导体

更新时间:2026-1-5 9:46:01
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