位置：首页 > IC中文资料第4177页 > SSW10N60B
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SSW10N60B | 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |   | |
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a | UTC 友顺 | | ||
N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 文件：2.17857 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：2.33382 Mbytes Page：11 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：976.2 Kbytes Page：11 Pages | WXDH 东海半导体 | | ||
10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：330.13 Kbytes Page：8 Pages | UTC 友顺 | |
SSW10N60B产品属性
- 类型
描述
- 型号
SSW10N60B
- 功能描述
MOSFET N-CH/600V/7A/1.2OHM
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
SAMTEC |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
SAMTEC |
22+ |
NA |
100 |
原装正品支持实单 |
|||
SAMTEC/申泰 |
2022+ |
20PIN |
706 |
原厂原装,假一罚十 |
|||
SAMTEC/申泰 |
2407+ |
30098 |
全新原装!仓库现货,大胆开价! |
||||
Samtec |
24+ |
连接器 |
1340 |
进口原装正品优势供应 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装 |
|||
SAMTEC |
23+ |
10脚连接器 |
182 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
SAMTEC |
23+ |
连接器 |
1088 |
优势货源原装正品 |
SSW10N60B芯片相关品牌
SSW10N60B规格书下载地址
SSW10N60B参数引脚图相关
- tda2030
- tda2003功放电路图
- tda16846
- t7272
- t680
- t5007
- t5006
- t4242
- t40
- t2222
- t2010
- t100k
- sw-262
- stm32f103
- stm32
- stk
- stc89c52rc
- stc12c5a60s2
- st70
- st18
- SSX-52S
- SSX-52
- SSX35
- SSW-ULD
- SSW-SLD
- SSW-LLG
- SSW-HLG
- SSW7N60
- SSW-524
- SSW524
- SSW-508
- SSW-408
- SSW408
- SSW-308
- SSW308
- SSW-224
- SSW224
- SSW-208
- SSW208
- SSW-124
- SSW-110-02-G-D-RA-N
- SSW-110-02-G-D-RA-LL
- SSW-110-02-G-D-RA-020
- SSW-110-02-G-D-RA-019
- SSW-110-02-G-D-RA-017
- SSW-110-02-G-D-RA-012
- SSW-110-02-G-D-RA-009
- SSW-110-02-G-D-RA-006
- SSW-110-02-G-D-RA-005
- SSW-110-02-G-D-RA
- SSW-110-01-F-D-018
- SSW-110-01-F-D-017
- SSW-110-01-F-D-010
- SSW-110-01-F-D-009
- SSW-110-01-F-D-005
- SSW-110-01-F-D-004
- SSW-110-01-F-D-003
- SSW-110-01-F-D-001
- SSW-110-01-F-D
- SSW10N60BTM
- SSW-108-03-S-P-RA
- SSW-108-03-S-P
- SSW-108-03-SM-T
- SSW-108-03-SM-S-RA
- SSW-108-03-SM-S
- SSW-108-03-SM-Q
- SSW-108-03-SM-P-RA
- SSW-108-03-SM-D-RA
- SSW-108-03-SM-D
- SSW-108-03-S-D-RA-009
- SSW-108-03-S-D-RA
- SSW-108-01-FM-Q
- SSW-108-01-FM-P
- SSW-108-01-FM-D
- SSW-108-01-F-D-N
- SSW-108-01-F-D-LL
- SSW-108-01-F-D-007
- SSW-108-01-F-D-001
- SSW-108-01-F-D
- SSW-108 -01-T-S
- SSW-108
- SSW108
- SSUR71
- SSU17
- SSU14
- SSU13S
- SSU11
- SS-TR
- SSTPAD5
- SSTPAD2
- SSTPAD1
- SSTPAD
- SSTL-15
- SSTJ212
- SSTJ211
- SSTJ210
- SS-TH
- SSTD89A
- SSTC750
- SSTC7
SSW10N60B数据表相关新闻
ST/意法 L4971 开关稳压器 封装DIP-8 原装现货 价格优势
ST/意法 L4971 开关稳压器 封装DIP-8 原装现货 价格优势
2023-6-14ST/意法 BALF-NRG-01D3 信号调节 封装FlipChip-4 全新原装 价格优势
ST/意法 BALF-NRG-01D3 信号调节 封装FlipChip-4 全新原装 价格优势
2023-5-24SST89E516RD-40-C-PIE
8051-40 C 8位微控制器-MCU，8051 8位微控制器-MCU，PLCC-44 32 kB 8位微控制器-MCU，TQFP-32 8位微控制器-MCU，PIC 8位微控制器-MCU，PDIP -40 EUSART，MI2C，SPI 8位微控制器-MCU
2020-7-17SSU7301C25P原装正品假一罚十
价格:保证最优惠的价格，薄利多销为经营理念;_ 服务:最快捷的交货方式，货品均有30天质量保证
2019-8-16SSW-110-01-L-D深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英 电话：0755-83203002 传真：0755-82532883 手机：18138231376、18806643356 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-6-24SST89E54RD2-40-I-QJF2-FlashFlex51微控制器
SST89E5xRD2/RD和SST89V5xRD2/RD 8位微控制器的FlashFlex51家庭成员 SST公司的专利产品的设计和制造和专有的SuperFlash CMOS半导体工艺 技术。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道的喷油器提供显著的成本和可靠性优势SST公司的客户。该设备使用的8051指令设置和引脚对引脚兼容标准的8051 微控制器设备。 16/24/40 K字节的片上闪存设备这是成2个分区的EEPROM程序存储器独立的程序存储器块。主座0占地8/16/32内部程序存储空间的380K字节中学1座，占地8内部的380K字节程序存储空间。
2012-11-8
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
