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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP33N06YDGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=14mΩMAX.(VGS=10V,ID=16.5A) •LowCiss:Ciss=2600pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Logicleveldrivetype •Des

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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更新时间:2024-5-18 20:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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HSON-8
100000
代理渠道/只做原装/可含税
23+
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原厂原装正品现货
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一级代理/全新现货/假一罚百!
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明嘉莱只做原装正品现货
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瑞萨全系列在售,终端可出样品
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