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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type

Power Management Switch High Speed Switching Applications • Small package • Low on-resistance Q1: RDS(ON) = 0.7 Ω (max) (@VGS = 10 V) Q2: RDS(ON) = 2.7 Ω (max) (@VGS = −10 V)

TOSHIBA

东芝

Power Management Switch

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-5 22:58:01
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