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TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type

○ DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications • 4V drive • Low ON-resistance : Ron = 440mΩ (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 300mΩ (max) (@VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-6 20:00:01
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