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SSM6J502NU_V01

MOSFETs Silicon P-Channel MOS

1. Applications • Power Management Switches 2. Features (1) 1.5-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 60.5 mΩ (max) (@VGS = -1.5 V) RDS(ON) = 38.4 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 28.3 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 23.1 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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