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TOSHIBAField-EffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType

○DC/DCConverterApplication ○High-SpeedSwitchingApplications •4.0Vdrive •LowON-resistance:RDS(ON)=225mΩmax(@VGS=−4V) :RDS(ON)=117mΩmax(@VGS=−10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

P-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.059 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-23 23:00:01
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