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High-SpeedSwitchingApplications

○High-SpeedSwitchingApplications •4Vdrive •LowON-resistance:Ron=491mΩ(max)(@VGS=−4V) Ron=251mΩ(max)(@VGS=−10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA
更新时间:2024-6-17 11:36:01
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