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SSM3K15AFS_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

Load Switching Applications • 2.5 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-7 11:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
SOT-323
50000
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TOSHIBA(东芝)
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Toshiba Semiconductor and Stor
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TOSHIBA(东芝)
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