型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SSM3K106TU

Silicon N Channel MOS Type High-Speed Switching Applications

High-Speed Switching Applications ​​​​​​​ • 4 V drive • Low ON-resistance: Ron = 530 mΩ (max) (@VGS = 4 V) Ron = 310 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

TOSHIBA

东芝

SSM3K106TU

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

SSM3K106TU

Small-signal MOSFET

TOSHIBA

东芝

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

文件:186.5 Kbytes Page:6 Pages

TOSHIBA

东芝

SSM3K106TU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SSM3K106TU

  • 功能描述

    MOSFET INCORRECT MOUSER P/N 3Pin

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-2 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
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21250
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2025+
SOT-323
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原装正品 可含税交易

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