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TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHALLEL MOS TYPE

High Speed Switching Applications ​​​​​​​ • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω max (@VGS = 4 V) : Ron = 1.2 Ω max (@VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage

TOSHIBA

东芝

High Speed Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-7 17:00:01
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