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MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)

Applications • Power Management Switches Features (1) 4.0-V drive (2) Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 86 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V) RDS(ON) = 73 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 45 mΩ (max) (@VGS = -10 V)

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东芝

MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS??

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东芝

更新时间:2025-11-2 23:00:01
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