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SSM3J334R_V01

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSVI)

○Power Management Switch Applications Low ON-resistance: RDS(ON) = 71 mΩ (max) (@VGS = -10 V) RDS(ON) = 105 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 136 mΩ (max) (@VGS = -4.0 V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-7 19:25:00
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