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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
SSD5501	N-Channel Depletion-Mode 4-Channel DMOS FET Array 文件：120.21 Kbytes Page：2 Pages	CALOGIC	CALOGIC
SSD55N03	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：792.72 Kbytes Page：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SSD55N03	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET 文件：793.64 Kbytes Page：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSD55N03	55A, 25V, RDS(ON) 6m\u0001 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET	SECOS 喜可士	SECOS
SSD55N03_11	55A, 25V, RDS(ON) 6m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：790.35 Kbytes Page：4 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSD55N03-C	MOSFET	SECOS 喜可士	SECOS
SSD55P30J	丝印代码：CJU55P30；P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件：186.48 Kbytes Page：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
SSD55P30J	MosFET	SECOS 喜可士	SECOS

类型
描述
重量：
54 g (1.9 oz)
外观尺寸：
2.5\
汇流排介面：
SATA III 6Gb/s
容量：
40 GB80 GB160 GB320 GB640 GB1280 GB
Flash类型：
112层3D快闪记忆体 (SLC mode)
工作电压：
5V±5%
工作温度：
标准温°C (°F) ~ °C (°F) 类宽温°C (°F) ~ °C (°F) 宽温-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度：
-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度：
5% ~ 95%
耐冲击：
15 G
耐振动 (操作中)：
20 G (peak-to-peak)
耗电量 (操作中)：
4.0 瓦
耗电量 (IDLE)：
1.2 瓦
连续读写速度 (CrystalDiskMark)：
读取
4K随机读写速度 (IOmeter)：
读取
平均故障间隔 (MTBF)：
3
写入兆位元组 (TBW)：
高达 8
每日全碟写入次数 (DWPD)：
47.7 (3 年)
备注：
传输速度会因您的系统效能（硬体、软体、使用方式、产品容量）而有所不同。用于评估DWPD数值的工作量可能与您的实际操作环境（硬体、软体、使用方式、产品容量）不同。写入兆位元组 (TBW) 数值以该系列产品最高容量为主。
安规认证：
CEUKCAFCCBSMI
保固：
三年有限保固
保固政策：
更多创见产品保固政策，请点选这里。如产品于保固范围内在Scope Pro软体的wear-out indicator显示耗损程度为0%时，则不适用。由于工业应用的多元性及复杂性，创见无法保证本产品完全相容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境，建议您购买前先与我们联系。Scope Pro软体依需求提供，请与我们联系。

SSD55供应商更多...

更新时间：2026-5-23 19:23:00

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