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SS10P5_V01

HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifier

FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •Lowthermalresistance •MeetMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •AEC-Q101qua

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-8-1 14:38:00
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