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SURMOUNTTMLowBarrier0201FootprintSiliconSchottkyDiodes

Description TheMA4E2501L-1290SurMount™DiodesareSiliconLowBarrierSchottkyDevicesfabricatedwiththepatentedHeterolithicMicrowaveIntegratedCircuit(HMIC)process.HMICcircuitsconsistofSiliconpedestalswhichformdiodesorviaconductorsembeddedinaglassdielectric,whichacts

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更新时间:2024-6-17 12:19:01
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