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SRN2012-2R2M价格
参考价格：￥0.7107
型号：SRN2012-2R2M 品牌：Bourns 备注：这里有SRN2012-2R2M多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SRN2012-2R2M批发/采购报价，SRN2012-2R2M行情走势销售排行榜，SRN2012-2R2M报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SRN2012-2R2M | SRN2012 Series - Semi-shielded Power Inductors Features Semi-shielded construction Miniature size Low profi le: 1.2 mm Inductance range: 0.24 to 2.2 μH Rated current up to 3.5 A RoHS compliant* and halogen free** Applications DC/DC converters Notebook computers Digital video cameras HDDs Cellphones Televisions, LCD displays | Bourns 伯恩斯 |   | |
SRN2012-2R2M | 封装/外壳：非标准 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：FIXED IND 2.2UH 1.3A 186MOHM SMD 电感器，线圈，扼流圈 固定电感器 | ETC 知名厂家 | ETC | |
POWER INDUCTOR ●FEATURE 1. Multilayer Chip Power Inductor 2. Monolithic structure for high reliability 3. Excellent solderability and high heat resistance 4. No cross coupling due to magnetic shield 5. High DC bias current due to developed material 6. Low DC resistance 7. Operating Temp.: -40°C~+125°C | AITSEMI 创瑞科技 | | ||
Wire Wound Magnetically Shielded SMD Power Inductor 文件：1.71772 Mbytes Page：4 Pages | ABRACON | | ||
MULTILAYER CHIP INDUCTORS 文件：191.26 Kbytes Page：5 Pages | ECE 百容电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2x2-6L |
986966 |
国产 |
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TE/泰科 |
2508+ |
/ |
273494 |
一级代理，原装现货 |
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BOURNS/伯恩斯 |
23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
76000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
BOURNS/伯恩斯 |
25+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
Bourns |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
|||
BOURNS/伯恩斯 |
2016+ |
SMD |
58800 |
原装房间现货价格优势稳定供应 |
|||
BOURNS |
24+ |
SMD |
62300 |
一级代理/全新现货/长期供应! |
|||
BOURNS |
2450+ |
SOP |
6540 |
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品 |
SRN2012-2R2M芯片相关品牌
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2021-9-15SRM4010-直流转换器
该模块是一个完整的SRM4010解决方案实施非常高效率同步整流和消除了许多问题与selfdriven方法。该模块连接到变压器次级的转发转换器提供完整的高电流在整流输出电压范围从5伏到1.0伏下来，在高热效表面贴装封装。整流效率高达95％达到避免交叉传导。专用IC提供了有效栅驱动超低RDS（ON）中所用的MOSFET模块。在传统的自驱动临近，MOSFET驱动尽快结束作为电力变压器完成复位。这将导致增加的占空比损失减少。控制电路的SRM4010无论是正向或驱动器的产量在几乎整个MOSFET的占空比。只有一小预测的时间，通常为100 ns，才能避免交叉传导。在SRM4010是设计用于处理大占空比的突
2013-2-11
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