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SRI512W4

13.56-MHz Short-range Contactless Memory Chip with 512-bit EEPROM and Anti-Collision functions

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

SUMMARY DESCRIPTION The NAND Flash 528 Byte/ 264 Word Page is a family of non-volatile Flash memories that uses the Single Level Cell (SLC) NAND cell technology. It is referred to as the Small Page family. The devices range from 128Mbits to 1Gbit and operate with either a 1.8V or 3V voltage supp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

FEATURES SUMMARY ■ HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES – Up to 8 Gbit memory array – Up to 64Mbit spare area – Cost effective solutions for mass storage applications ■ NAND INTERFACE – x8 or x16 bus width – Multiplexed Address/ Data – Pinout compatibility for all densities ■ SUPPLY VOLTAG

STMICROELECTRONICS

意法半导体

SRI512W4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SRI512W4

  • 制造商

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全称

    STMicroelectronics

  • 功能描述

    13.56-MHz Short-range Contactless Memory Chip with 512-bit EEPROM and Anti-Collision functions

更新时间:2026-7-30 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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