| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SRF820_V01 | SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-Semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 | SAMYANG 三阳电子 |   | |
Fast Switching Plastic Rectifier FEATURES • Fast switching for high efficiency • Low forward voltage drop • Low leakage current • High forward current operation • High forward surge capability • Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER FEATURES Metal-semiconductor junction with guard ring Epitaxial construction Low forward voltage drop,low switching losses High surge capability For use in low voltage,high frequency inverters free wheeling,and polarity protection applications The plastic material carries U/L recognition 94 | SAMYANG 三阳电子 | | ||
Power MOSFET 文件：156 Kbytes Page：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：487.18 Kbytes Page：2 Pages | CHENDA 辰达半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
04+ |
SOP |
1500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
BGA |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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23+ |
SMD |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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TOSHIBA |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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TOSHIBA/东芝 |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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TOSHIBA |
23+ |
NA |
4986 |
专做原装正品,假一罚百! |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
SMD |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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TOS |
22+ |
SOP |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
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该模块是一个完整的SRM4010解决方案实施非常高效率同步整流和消除了许多问题与selfdriven方法。该模块连接到变压器次级的转发转换器提供完整的高电流在整流输出电压范围从5伏到1.0伏下来，在高热效表面贴装封装。整流效率高达95％达到避免交叉传导。专用IC提供了有效栅驱动超低RDS（ON）中所用的MOSFET模块。在传统的自驱动临近，MOSFET驱动尽快结束作为电力变压器完成复位。这将导致增加的占空比损失减少。控制电路的SRM4010无论是正向或驱动器的产量在几乎整个MOSFET的占空比。只有一小预测的时间，通常为100 ns，才能避免交叉传导。在SRM4010是设计用于处理大占空比的突
2013-2-11
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