SQD50P04-09L_GE3价格

参考价格:¥8.2504

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel40V(D-S)MOSFET

文件:1.93204 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SQD50P04-09L_GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD50P04-09L_GE3

  • 功能描述

    MOSFET 40V 50A 136W P-Ch Automotive

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-21 18:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay
23+
NA
10658
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VISHAY(威世)
1924+
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VISHAY/威世场效应管
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VISHAY
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原装现货 价格 数量 来电确认
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