SQD23N06-31L_GE3价格

参考价格:¥4.3748

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

文件:899.22 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SQD23N06-31L_GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD23N06-31L_GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 23A 100W 31mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-16 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
NA/
20
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Vishay
2020+
TO-252
80000
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