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SQ2361EES-T1-GE3价格
参考价格：￥1.3098
型号：SQ2361EES-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SQ2361EES-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SQ2361EES-T1-GE3批发/采购报价，SQ2361EES-T1-GE3行情走势销售排行榜，SQ2361EES-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SQ2361EES-T1-GE3 | P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
SQ2361EES-T1-GE3 | AutomotiveP-Channel60V(D-S) 文件：225.87 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  | |
SQ2361EES-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SQ2361EES-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 60V 2.5A 2W P.CH 150mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-4 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
7656 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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Vishay(威世) |
24+ |
TO2363,SC59,SOT233 |
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VISHAY/威世 |
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SOT-23 |
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VISHAY/威世 |
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SOT-23 |
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880000 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-3 |
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NA |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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VISHAY/威世 |
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SOT-23 |
8850 |
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2023-4-19SQ2337ES-T1-GE3
https://hfx03.114ic.com/
2022-5-12SQ2361ES 贴片 SOT23-3 60V 2.5A P沟道场效应管 VISHAY
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2022-4-26SQ2361ES场效应管 MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
原装正品假一罚十
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SQ2301ES-T1-GE3
2020-9-11
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