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20N60S5	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance	Infineon 英飞凌	Infineon
ISPP20N60S5	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRIPTION • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitance • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.19Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device per	ISC 无锡固电	ISC
ISPW20N60S5	isc N-Channel MOSFET Transistor · DESCRITION • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤190mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
SPB20N60S5	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Worldwide best RDS(on) in TO 220 • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JE	Infineon 英飞凌	Infineon
SPB20N60S5	Cool MOS??Power Transistor 文件：121.29 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

SPW20N60S5IC供应商更多...

更新时间：2025-11-1 23:00:01

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2022-8-5
SPUD-001T-P0.5 JST端子连接器插口线规22-26 AWG
插口触点锡 22-26 AWG
2021-9-22
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2020-10-28
SPW35N60C3 只做原装现货假一罚百
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装用芯服务；有其他物料需求可以按照品牌型号找业务询价；
2020-7-10
SPW47N60C3封装：TO-247批号：1510
SPW47N60C3 封装：TO-247 批号：1510
2019-3-21
SPX1004-精密电压基准
描述该SPX1004是2端高精度带隙电压基准，提供了一个稳定的为1.2V和2.5V固定输出电压为±的4mV为SPX1004- 1.2和±20mV的宽容为SPX1004- 2.5。设计，工艺和产量上削减芯片非常低的温度精度25 ppm的系数/° C的该SPX1004可作为一个引脚对引脚的LT1004，LM1004或AS1004更换。该SPX1004提供采用SOT- 89和SOIC- 8和TO- 92封装在工作温度范围0 ° C至70° C的特征 ■初始电压容差： SPX1004- 1.2= ±的4mV SPX100
2013-3-15