型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SPP80N06S2-09

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

SPP80N06S2-09

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

SPP80N06S2-09

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

SPP80N06S2-09

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

·FEATURES ·Drain Current –ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 55V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) : 9.1mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Ultra Low On-resistance ·

ISC

无锡固电

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

SPP80N06S2-09产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP80N06S2-09

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-5 15:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINE0N
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
P-TO220-3
8866
Infineon
2025+
TO-220
5425
全新原厂原装产品、公司现货销售
INFINEON
24+
TO220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
22+
TO-220
47788
原装现货库存.价格优势
VBsemi
25+
TO220
10005
只做原装进口!正品支持实单!
Infineon(英飞凌)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
INFINEON
23+
TO-220
15000
专做原装正品,假一罚百!
I
25+
P-TOTO-220-3-1
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

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