型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET Transistor

• DESCRIPTION • Ultra low gate charge • High peak current capability • Improved transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤0.6Ω • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perform

ISC

无锡固电

Cool MOS??Power Transistor

Cool MOS™ Power Transistor • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Optimized capacitances • Improved noise immunity

Infineon

英飞凌

N-Channel 65 0V (D-S)Power MOSFET

文件:2.123 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.34 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Cool MOS Power Transistor

文件:652.3 Kbytes Page:11 Pages

Infineon

英飞凌

SPD07N60S5T产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPD07N60S5T

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    CoolMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-6 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
60
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
TO263
23+
0109+
2739
原厂原装正品
INFINEON
NEW
TO-263
7936
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
INFINEON
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
I
25+
P-TO263-3-2
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
INFINEON/英飞凌
24+
TO263-3-2
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INFINEON
24+
TO-252
140

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