型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB80N04S2-H4

OptiMOS Power-Transistor

Feature • N-Channel • Enhancement mode • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

Infineon

英飞凌

SPB80N04S2-H4

N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

OptiMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

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OptiMOS Power-Transistor

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英飞凌

SPB80N04S2-H4产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB80N04S2-H4

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-15 18:35:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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标准封装
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公司只做原装,可来电咨询
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