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SPB80N03S2L-05

OptiMOS Power-Transistor

OptiMOS® Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

Infineon

英飞凌

SPB80N03S2L-05

OptiMOS® Power-Transistor

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

OptiMOS® Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

Infineon

英飞凌

OptiMOS Power-Transistor

OptiMOS® Power-Transistor Feature • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated

Infineon

英飞凌

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:963.99 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SPB80N03S2L-05产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB80N03S2L-05

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-4 15:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
INFINEON/英飞凌
24+
TO263-3-2
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
INFINE0N
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
INENOI
25+
SOT263
24110
INFINEON
23+
P-TO263-3-2
8000
只做原装现货
INFINEON/英飞凌
2022+
SOT-263
12888
原厂代理 终端免费提供样品
NK/南科功率
2025+
TO-263-2
986966
国产
INFINEON/英飞凌
24+
P-TO263-3-2
60000
INFINEON
24+
P-TO263-3-2
8866
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
9230
原厂直销,现货供应,账期支持!

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