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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIPMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   | |
SIPMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SIPMOSPower-Transistor Feature •N-Channel •Enhancementmode •175°Coperatingtemperature •Avalancherated •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SPB21N10T产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB21N10T
- 功能描述
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
SIPMOS®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
08+(pbfree) |
P-TO263-3-2 |
8866 |
||||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
12300 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
INFINEON-英飞凌 |
24+25+/26+27+ |
TO-263-3 |
83500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
P-TO263-3-2 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7936 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
INFINEON |
20+ |
P-TO263-3-2 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
17+ |
TO-263 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
INFINEON |
2023+ |
TO263-3-2 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
infineon |
2020+ |
P-TO263-3-2 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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2019-12-16SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
2019-8-6SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10
DdatasheetPDF页码索引
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