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参考价格：￥3.2696

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SPB18P06PG	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：982.84 Kbytes Page：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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SPB18P06P	SIPMOS Power-Transistor 文件：100.4 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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更新时间：2025-12-26 23:01:00

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2022-3-28
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SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10