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ISPP16N50C3	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • New revolutionary high voltage technology • Ultra low effective capacitance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤280mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and relia	ISC 无锡固电	ISC
ISPW16N50C3	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Improved Transconductance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤280mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation	ISC 无锡固电	ISC
SPA16N50C3	Cool MOS??Power Transistor Feature • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated • Extreme dv/dt rated • Ultra low effective capacitances • Improved transconductance • P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)	Infineon 英飞凌	Infineon
16N50C3	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 文件：729.27 Kbytes Page：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPA16N50C3	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 文件：729.27 Kbytes Page：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

SPB16N50C3T供应商更多...

更新时间：2025-11-2 13:30:02

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SPC5602BK0CLH4
原装正品现货
2022-5-24
SPC5200CBV400B
https://hfx03.114ic.com/
2022-3-28
SPB100N032L-03，SPB100N04S2L-03，SPB11N60C2，SPB11N60S5E3045A，SPB160N04S2-03，SPB20N60C3E3045A，SPB80N03S2L-03，SPB80N03S2L05，SPB80N03S2L-05，SPB80N06S2L-05，SPB80P06P，SPP02N60S5，SPP04N60C2
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2019-12-16
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3 BSZ520N15NS3 G 电信，供电系统
2019-8-6
SPA07N60C3
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2019-4-24
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10