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SPB12N50C3_05

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Telecommunications - Server and telecom power supplies • Light

VBSEMI

微碧半导体

SPB12N50C3_05

New revolutionary high voltage technology Worldwide best RDS(on) in TO 220 Ultra low gate charge

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-26 10:16:00
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