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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SPB100N04S2-04 | OptiMOSPower-Transistor 文件：311.68 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
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N-Channel40-V(D-S)MOSFET 文件：974.2 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
OptiMOSPower-Transistor 文件：311.68 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
SPB100N04S2-04产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPB100N04S2-04
- 功能描述
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
2020+ |
TO-263- |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
英飞凌 |
07+ |
TO-263-7 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
infineon |
23+ |
TO-263 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-263 |
6000 |
全新原装 公司现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
NA/ |
50000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SOT-263 |
17421 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2022 |
TO-263-7 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
INFINEON |
23+ |
TO263-7 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO263-3-2 |
9852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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2019-12-16SPB17N80C3BSZ520N15NS3G特价热销
SPB17N80C3BSZ520N15NS3G电信，供电系统
2019-8-6SPA07N60C3
SPA07N60C3
2019-4-24SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点•新的革命高电压技术•内在的快速恢复体二极管•极低的反向恢复电荷•超低栅极电荷•至尊的dv/dt的额定•高峰值电流能力•定期雪崩额定•合格的为工业级应用根据JEDEC0）•无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10
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