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SPB04N50C3_05	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10939 Mbytes Page：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更新时间：2025-10-4 15:30:00

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2022-3-28
SP8K24-TB
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2021-10-20
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2019-12-16
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SPB17N80C3 BSZ520N15NS3 G 电信，供电系统
2019-8-6
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2019-4-24
SPA20N60CFD-CoolMOS功率晶体管
特点 •新的革命高电压技术 •内在的快速恢复体二极管 •极低的反向恢复电荷 •超低栅极电荷 •至尊的dv/ dt的额定 •高峰值电流能力 •定期雪崩额定 •合格的为工业级应用根据JEDEC0） •无铅引脚电镀，符合RoHS标准
2012-11-10