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P-Channel20-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SiliconDarlingtonTransistorsHighCurrent,GeneralPurpose

Description: TheNTE2349(NPN)andNTE2350(PNP)aresiliconcomplementaryDarlingtontransistorsinaTO3typepackagedesignedforuseasoutputdevicesingeneralpurposeamplifierapplications. Features: •HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=25A hFE=400(Min)@IC

NTE

NTE Electronics, Inc

NTE

2SC3229

文件:177.97 Kbytes Page:5 Pages

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

KEC

1mA,Rail-to-Rail,CMOSOPERATIONALAMPLIFIERS

文件:141.55 Kbytes Page:7 Pages

1A,Rail-to-RailI/OCMOSOPERATIONALAMPLIFIERS

文件:1.1405 Mbytes Page:23 Pages

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI
更新时间:2024-6-16 16:16:01
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    2019-10-31
  • SP2525-+3.0 V至+5.5 V的USB电源控制开关

    描述设备的SP2525是一个单一的+3.0V至+5.5V的电源控制开关的USB监控的理想选择自供电及总线供电的通用串行总线(USB)的应用。该SP2525器件具有低导通电阻(80mW典型值),可提供500mA的最低水平。故障值2.0A电流限制在典型和标志输出引脚可用于指示故障到USB控制器的条件。在1毫秒的SP2525设备软启动将消除任何一时对上游端口电压下降时可能出现的开关启用总线供电的应用。热关断功能将防止永久性损坏SP2525device时,受到了过多的电流负载。在欠压锁定功能将确保SP2525器件将保持关闭状态,除非有一个有效的输入电压。

    2013-2-11