| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SNA3100L10NN | 丝印代码：3100L10；Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET 文件：398.49 Kbytes Page：8 Pages | KODENSHI 可天士 |   | |
SNA3100L10NN | Low Voltage Trench MOSFETs | AUK | | |
丝印代码：3100L10；Dual N-Ch Enhancement Mode MOSFET 文件：375.42 Kbytes Page：8 Pages | KODENSHI 可天士 | | ||
丝印代码：N3100；100V Fast Switching MOSFETs 文件：440.92 Kbytes Page：8 Pages | KODENSHI 可天士 | | ||
丝印代码：3100L10；N-Ch Enhancement Mode MOSFET 文件：398.2 Kbytes Page：8 Pages | KODENSHI 可天士 | | ||
丝印代码：N3100L10；100V Fast Switching MOSFETs 文件：455.79 Kbytes Page：8 Pages | KODENSHI 可天士 | |
SNA3100L10NN产品属性
- 类型
描述
- Configuration：
Dual
- Polarity：
N-Ch
- VDSS (V)：
100
- ID (A)：
2.2
- PD (W)：
1.5
- RDS(on)Max. (Ω)atVGS=10V：
0.31
- Qg Typ.(nC)atVGS=10V：
7
- Ciss Typ.(pF)：
360
- VGS(th)@ID=250uA_Min. (V)：
1
- VGS(th)@ID=250uA_Max. (V)：
2.5
- Features：
Trench MOSFET
更新时间：2026-7-30 18:27:00
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