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SN65C1168E价格

参考价格：￥8.8046

型号：SN65C1168ENS 品牌：Texas 备注：这里有SN65C1168E多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SN65C1168E批发/采购报价，SN65C1168E行情走势销售排行榜，SN65C1168E报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
SN65C1168E	具有 +/-8kV IEC ESD 保护的双路差分驱动器和接收器 The SN65C1167E and SN65C1168E consist of dual drivers and dual receivers with ±15-kV ESD (Human Body Model [HBM]) and ±8-kV ESD (IEC61000-4-2 Air-Gap Discharge and Contact Discharge) for RS-422 bus pins. The devices meet the requirements of TIA/EIA-422-B and ITU recommendation V.11.\n\nThe SN65C1167 • Meet or Exceed Standards TIA/EIA-422-B and ITU Recommendation V.11\n• ESD Protection for RS-422 Bus Pins \n• ±8-kV IEC 61000-4-2, Contact Discharge\n• Low Supply-Current Requirements: 9 mA Maximum\n• Receiver Input Impedance . . . 17 kΩ (Typical)\n• Receiver Common-Mode Input Voltage Range of –7 V;	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP.A	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP.A	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP.A	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP.A	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP	SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP	采用增强型航天塑料封装的抗辐射加固保障 RS-422 双路差分驱动器和接收器 SN65C1168E-SEP 包含双驱动器和双接收器，具有 ±12kV ESD (HBM) 和 ±8kV ESD（IEC61000-4-2 空气间隙放电和接触放电），适用于 RS-422 总线引脚。此器件符合 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求。经过 20krad(Si) TID 接触之后，有些参数不符合所有的 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 要求。\n\nSN65C1168E-SEP 驱动器具有单独的高电平有效使能端。 • VID V62/19606\n• 单粒子锁定 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 43MeV-cm2/mg\n• 每个晶圆批次的 RLAT 总电离剂量 (TID) 高达 20krad(Si)\n• 增强型航天塑料 \n• 金线\n• 一个组装和测试基地\n• 支持军用（–55°C 至 125°C）温度范围\n• 延长了产品变更通知\n• 采用增强型模塑化合物实现低释气\n• 达到或超出 TIA/EIA-422-B 和 ITU Recommendation V.11 标准的要求\n• 为 RS-422 总线引脚提供 ESD 保护 \n• ±8kV IEC 61000-4-2，接触放电;	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP	SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features • VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fini	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP_V01	SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With ±12-kV ESD Protection 1 Features 1• VID V62/19606 • Radiation hardened – Single event latch-up (SEL) immune to 43 MeV-cm2/mg at 125°C – ELDRS-free to 30 krad(Si) – Total ionizing dose (TID) RLAT for every wafer lot up to 20 krad(Si) • Space Enhanced Plastic – Controlled baseline – Gold wire – NiPdAu lead fin	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection 文件：899.69 Kbytes Page：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EMPWTSEP	丝印代码：1168SEP；SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection 文件：899.69 Kbytes Page：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENS	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSG4	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSG4	封装/外壳：16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO 集成电路（IC）驱动器，接收器，收发器	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSR	封装/外壳：16-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）包装：管件描述：IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO 集成电路（IC）驱动器，接收器，收发器	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ENSRG4	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EPW	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EPWG4	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EPWR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168EPWRG4	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ERGYR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168ERGYRG4	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS WITH 짹15-kV ESD PROTECTION 文件：741.45 Kbytes Page：19 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168E-SEP	SN65C1168E-SEP Dual Differential Drivers and Receivers With 짹12-kV ESD Protection 文件：899.69 Kbytes Page：24 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS 文件：288.93 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168NSR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS 文件：288.93 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168PW	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS 文件：288.93 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168PWR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS 文件：353.2 Kbytes Page：16 Pages	TI 德州仪器	TI
SN65C1168PWR	DUAL DIFFERENTIAL DRIVERS AND RECEIVERS 文件：288.93 Kbytes Page：14 Pages	TI 德州仪器	TI

SN65C1168E产品属性

类型
描述
Number of transmitters：
2
Duplex：
Full
Supply voltage (Nom) (V)：
5
Signaling rate (Max) (Mbps)：
10
IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)：
8
Fault protection (V)：
-10 to 15
Common mode range：
-7 to 7
Number of nodes：
32
Features：
IEC ESD protection
Isolated：
No
ICC (Max) (mA)：
9
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85

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更新时间：2026-8-2 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	SN65C1168ENSR	TI(德州仪器)	26+	SOIC-16-208mil	10548	原厂订货渠道,支持账期,一站式服务!	询价
深圳市宏然科技有限公司	SN65C1168ENSR	TI(德州仪器)	25+	SOIC-16-208mil	9000	原装现货支持实单	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	SN65C1168EPWR	TI/德州仪器	21+	明嘉莱只做原装正品现货	2510000	TSSOP-16	询价
深圳市胜彬电子有限公司	SN65C1168EPWR	TI/德州仪器	2152+	TSSOP-16	8000	原装正品假一罚十	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	SN65C1168EPWR	TI	23+	TSSOP16	390	正规渠道,只有原装!	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	SN65C1168ERGYR	TI/德州仪器	23+	VQFN16	3000	原装正品,假一赔十	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	SN65C1168EPWR	TI	24+	TSSOP-16	30000	专业代理销售芯片授权分销全系列产品	询价
深圳市昂芯微科技有限公司	SN65C1168EPWR	TI	23+	TSSOP-16	8000	TI优势物料,欢迎询价	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SN65C1168ERGYR	TI/德州仪器	25+	QFN16	32360	TI/德州仪器全新特价SN65C1168ERGYR即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	SN65C1168EPWR	TI	23+	TSSOP (PW)-16	4000	只做原装支持实单假一罚十	询价

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