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位置：首页 > IC中文资料 > SM601

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SM601

SWITCHING REGULATOR POWER OUTPUT STAGES

DESCRIPTION The SM600/601/602 and SM610/611/612 series of Power Output Stages are especially designed to be driven with standard PWM integrated circuits to form an efficient switching power supply. The SM600, SM601 and SM602 are optimized for non-isolated Buck and Buck-Boost application, where

MICROSEMI

美高森美

SM601

Single-Chip SSD

Key Features End to End Data Path Protection SMI’s FerriSSDs incorporate full data error detection with recovery engines to provide enhanced data integrity throughout the entire Host-to-NAND-to-Host data path. The FerriSSD® data recovery algorithm can effectively detect any error in the SSD da

SILICONMOTION

慧荣科技

SM601

Single-Chip SSDs / eMMC / UFS

●High-Efficiency Error Correction\n- Advanced Hardware BCH Error Correcting Code (ECC) Engine\n- StaticDataRefresh™ and EarlyRetirement™ technologies ensure the data reliability\n●Advanced Global Wear Leveling\n- Even distribution of program/erase cycles across all NAND flash chips\n- Maximizes the ;

SILICONMOTION

慧荣科技

SM6010

Compact 6 pin DIP/SMD package

Features  Compact 6 pin DIP/SMD package  Built in active discharge circuit for fast turn-off  Fast Turn-On  12V Gate Drive Voltage  High Input-to-Output Isolation (up to 5kVRMS)  Long Life / High Reliability  RoHS / Pb-Free / REACH Compliant Applications  Isolated means to drive

SOLIDSTATE

SM6011

High-speed Data Converter

High-speed Data Converter

NPC

SM6011NSFC

N-Channel MOSFET

• 68V/70A,\n• R =10.8m (max.)@ V =10V\n• Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant);

SINOPOWER

大中集成电路

SM601HRR

SWITCHING REGULATOR POWER OUTPUT STAGES

DESCRIPTION The SM600/601/602 and SM610/611/612 series of Power Output Stages are especially designed to be driven with standard PWM integrated circuits to form an efficient switching power supply. The SM600, SM601 and SM602 are optimized for non-isolated Buck and Buck-Boost application, where

MICROSEMI

美高森美

SM601R

SWITCHING REGULATOR POWER OUTPUT STAGES

DESCRIPTION The SM600/601/602 and SM610/611/612 series of Power Output Stages are especially designed to be driven with standard PWM integrated circuits to form an efficient switching power supply. The SM600, SM601 and SM602 are optimized for non-isolated Buck and Buck-Boost application, where

MICROSEMI

美高森美

SM6010

16-Bit Single- Chip Microcomputer

文件：25.16 Kbytes Page：2 Pages

SHARPSharp Corporation

夏普

SM6010

Built in active discharge circuit for fast turn-off

文件：223.17 Kbytes Page：7 Pages

SSOUSA

SM6011NSF

N-Channel MOSFET

SINOPOWER

大中集成电路

SM6011NSF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：256.779 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6011NSFC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：256.779 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSK

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.4114 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

SM6012NSK

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：269.19 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSKC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：269.19 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSQG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：252.53 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSQGC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：252.53 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：270.22 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSU

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：2.23508 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

SM6012NSUB

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSUB

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.64547 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SM6012NSUBC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：156.84 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSUC

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：236.51 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSUCC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：236.51 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6012NSUC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：270.22 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6014NSF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：252.37 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6014NSFC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：252.37 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6016NSU

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：887.28 Kbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

SM6018NSKP

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：296.87 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSKPC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：296.87 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：161.82 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：161.82 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSU

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

文件：897.64 Kbytes Page：6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SM6018NSU

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：2.38027 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

SM6018NSUB

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：1.6314 Mbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SM6018NSUB

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：161.82 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSUBC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：161.82 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6018NSUC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：161.82 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6019NSF

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.55452 Mbytes Page：5 Pages

DOINGTER

杜因特

SM6019NSF

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：242.52 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6019NSFC-TUG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：242.52 Kbytes Page：10 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6019NSU

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：268.57 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM6019NSUC-TRG

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：268.57 Kbytes Page：11 Pages

SINOPWER

大中集成电路

SM601BA10A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA15A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA20A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA25A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA35A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA40A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA50A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601BA60A1

Remote Controlled Circuit Breaker (RCCB)

文件：233.07 Kbytes Page：10 Pages

EATON

伊顿

SM601GX8-BA

包装：托盘 描述：FERRISSD BGA SSD MLC NAND C-TEMP 存储卡，模块 固态硬盘（SSD），硬盘驱动器（HDD）

ETC

知名厂家

SM601GXA-BA

包装：托盘 描述：FERRISSD BGA SSD MLC NAND C-TEMP 存储卡，模块 固态硬盘（SSD），硬盘驱动器（HDD）

ETC

知名厂家

CP601

VOLTAGE 50 to 1000 Volts CURRENT - P.C. MTG 3A , HEAT-SINK MTG 6A

VOLTAGE 50 to 1000 Volts CURRENT - P.C. MTG 3A , HEAT-SINK MTG 6A FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. • Surge Overload Ratings to 125 Amperes. • Low forward voltage, and reverse leakage. • Small size , simple installation.

PANJIT

強茂

NTE601

Silicon Varistor Temperature Compensating Diode

Features: ● High reliability planar chip and glass sealing ● Low IR ● Large PD

NTE

PG601R

GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound ● Glass passivated junction in P600 package ● 6 ampere operation at TA=60 ¢J with no thermal runaway ● Exce

PANJIT

強茂

PS601R

FAST SWITCHING RECOVERY RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

FEATURES ● Low cost ● Diffused junction ● Low forward voltage drop ● High current capability Fast switching for high efficiency ● The plastic meterial carries U/L recognition 94V-O ● Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228

PANJIT

強茂

UF601

ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIER(VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes)

VOLTAGE - 50 to 800 Volts CURRENT - 6.0 Amperes FEATURES ● Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound ● Void-free Plastic in P600 package ● 6.0 ampere operation at TA=55 ¢J with no thermal runaway ● Ex

PANJIT

強茂

SM601产品属性

  • 类型

    描述

  • Cfg.：

    N

  • BV(V)：

    68

  • VGS (±V)：

    25

  • TC=25：

    70

  • VTH(V)typ.：

    3

  • Rg (Ω)typ.：

    1.6

  • RON(mΩ max)10V max.：

    10.8

  • Ciss (pF)typ.：

    2200

  • Coss (pF)typ.：

    330

  • Crss (pF)typ.：

    190

SM601供应商更多...

更新时间：2026-8-4 12:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
SM6010PSU
ANPEC茂达
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司
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深圳市中联芯电子有限公司
SM6018NSUB
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TO251
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
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中天科工半导体（深圳）有限公司
SM6018NSUC-TRG
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SINOPOWER/大中全新特价SM6018NSUC-TRG即刻询购立享优惠#长期有货
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
SM6018NSUC-TRG
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