| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Lead-Free,RoHS Compliant Description: The ADM90N06Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with | ADV 爱德微 |   | ||
Drain Current ?밒D= 90A@ TC=25C 文件：137.72 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Trench Power MOSFET 文件：634.29 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Super Trench Power MOSFET 文件：324.83 Kbytes Page：6 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel MOSFET 文件：1.02305 Mbytes Page：4 Pages | KEXIN 科信电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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