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SISS27DN-T1-GE3

30V P-Channel MOSFET

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ZHAOXINGWEI

SISS27DN-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SISS27DN-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 晶体管极性

    P-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    30 V

  • 闸/源击穿电压

    +/- 20 V

  • 漏极连续电流

    50 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    5.6 mOhms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerPAK 1212-8

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-5 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2511
DFN3.3*3.3
360000
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PowerAPK 1212-8 Single [3.30 x
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