位置:首页 > IC中文资料第1185页 > SISA18DN-T1-GE3
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix | ||||
Vishay Siliconix | ||||
Vishay Siliconix |
SISA18DN-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SISA18DN-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间:2024-5-12 20:00:02
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Vishay(威世) |
23+ |
标准封装 |
7428 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
VISHAY-威世 |
24+25+/26+27+ |
QFN-8.贴片 |
83500 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
PAK1212-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
VISHAY/威世 |
16+ |
PAK1212-8 |
2600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
16+ |
PAK1212-8 |
5520 |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
|||
VISHAY |
1725+ |
QFN |
6528 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
VISHAY/威世 |
2023+ |
PAK1212-8 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
|||
VISHAY/威世 |
21+ |
PAK1212-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
23+ |
N/A |
90450 |
正品授权货源可靠 |
||||
VISHAY/威世通 |
2019 |
PowerPAK1212-8 |
55000 |
原装正品现货假一赔十 |
SISA18DN-T1-GE3规格书下载地址
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SISA18DN-T1-GE3数据表相关新闻
SIS862DN-T1-GE3原装现货支持实单
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2022-12-16SIS110DN-T1-GE3
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2022-10-20SISS30LDN-T1-GE3
进口代理
2022-7-26SIR876ADP-T1-GE3
SIR876ADP-T1-GE3
2019-11-29
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