SIS426DN-T1-GE3价格

参考价格:¥3.7670

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIS426DN-T1-GE3

N-Channel20-V(D-S)MOSFET

文件:112.85 Kbytes Page:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SIS426DN-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIS426DN-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 35A 52W 4.2mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-21 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2048+
QFN8
9852
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
VISHAY
23+
1212-8
6680
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VISHAY/威世
2022
QFN8
80000
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VISHAY/威世
24+23+
PowerPAK1212-8
12580
16年现货库存供应商终端BOM表可配单提供样品
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PAK1212-8
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2020+
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