SIHW30N60E价格

参考价格:¥20.7380

型号:SIHW30N60E-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHW30N60E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHW30N60E批发/采购报价,SIHW30N60E行情走势销售排行榜,SIHW30N60E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIHW30N60E

Reducedswitchingandconductionlosses

文件:226.43 Kbytes Page:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)

GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris

BournsBourns Inc.

伯恩斯(邦士)

Bourns

LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode

文件:1.9827 Mbytes Page:16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER

文件:672.35 Kbytes Page:15 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:281.61 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO

DACO

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

文件:264.01 Kbytes Page:4 Pages

DACO

DACO

DACO

SIHW30N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHW30N60E

  • 功能描述

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-16 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
22+
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY/威世
23+
TO-247
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
VISHAY/威世
TO-247
90000
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
VISHAY/威世
2024+实力库存
3200
只做原厂渠道 可追溯货源
VISHAY-威世
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
VISHAY(威世)
23+
TO-247
8145
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY/威世
24+
TO-247
3000
只做原装假一赔十
Vishay Siliconix
23+
SMD
70542
原装正品实单可谈 库存现货
VISHAY
22+
TO-247
8900
英瑞芯只做原装正品!!!
Vishay
24+
TO-247AD
12300
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

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