SIHW30N60E价格

参考价格:¥20.7380

型号:SIHW30N60E-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHW30N60E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHW30N60E批发/采购报价,SIHW30N60E行情走势销售排行榜,SIHW30N60E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIHW30N60E

Reduced switching and conduction losses

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHW30N60E

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris

Bourns

伯恩斯

Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode

文件:1.9827 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER

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DIODES

美台半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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DACO

罡境电子

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:264.01 Kbytes Page:4 Pages

DACO

罡境电子

SIHW30N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHW30N60E

  • 功能描述

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
3350
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VISHAY/威世
22+
100000
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原装现货

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