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SIHU7N60E价格
参考价格：￥5.9595
型号：SIHU7N60E-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHU7N60E多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHU7N60E批发/采购报价，SIHU7N60E行情走势销售排行榜，SIHU7N60E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHU7N60E | ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
SIHU7N60E | ESeriesPowerMOSFET 文件：180.03 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
7.4Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
iscN-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirem | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
7Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET ■Description TheET7N60N-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. ■Features ●RDS(ON)=1.20Ω@VGS=10V ●Lowgatecha | ESTEKEstek Electronics Co. Ltd 伊泰克电子北京伊泰克电子有限公司 |  | | |
7.4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswi | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：898.89 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | |
SIHU7N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHU7N60E
- 功能描述
MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SILICONIXVISHAY |
N/A |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
Vishay Siliconix |
23+ |
SMD |
67000 |
原装正品实单可谈 库存现货 |
|||
Vishay |
23+ |
IPAK(TO-251) |
33500 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
Vishay |
2020+ |
TO-251 |
52630 |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
|||
VISHAY/威世 |
2023+ |
SMD |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-251 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
TO-251 |
20000 |
保证原装正品,假一陪十 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
IPAK(TO-251) |
10000 |
公司只做原装正品 |
|||
VISHAY |
20+ |
TO-251 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-251AA |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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SIHU7N60E规格书下载地址
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产品属性属性值搜索类似 制造商:Lattice 产品种类:显示接口集成电路 商标:Lattice 产品类型:DisplayInterfaceIC 子类别:InterfaceICs
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2020-4-4
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