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SIHG61N65EF_V01 | E Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：214.17 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
E Series Power MOSFET with Fast Body Diodes FEATURES • Fast body diode MOSFET using E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
Automotive E Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES • Fast body diode MOSFET using Automotive Grade E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • 175 °C operating temperature • AEC-Q101 qualified • Ultra low gate char | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | |
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