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SIHG47N65E价格
参考价格：￥28.8711
型号：SIHG47N65E-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHG47N65E多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHG47N65E批发/采购报价，SIHG47N65E行情走势销售排行榜，SIHG47N65E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHG47N65E | E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SiHG47N65E | E Series Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHG47N65E | E Series Power MOSFET 文件：157.35 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHG47N65E | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：445.1 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
N-Channel Super Junction Power MOSFET 文件：980.46 Kbytes Page：7 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：593.16 Kbytes Page：8 Pages | ICEMOS Icemos Technology | |
SIHG47N65E产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHG47N65E
- 功能描述
MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
- RoHS
否
- 制造商
Vishay/Siliconix
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
700 V
- 闸/源击穿电压
20 V
- 漏极连续电流
47 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.072 Ohms
- 配置
Single
- 最大工作温度
+ 150 C
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
TO-247AC-3
- 封装
Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
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TO-247 |
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只做原装正品 |
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2019-12-7
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