SIHG47N65E价格

参考价格:¥28.8711

型号:SIHG47N65E-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHG47N65E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHG47N65E批发/采购报价,SIHG47N65E行情走势销售排行榜,SIHG47N65E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SIHG47N65E

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHG47N65E

E Series Power MOSFET

文件:157.35 Kbytes Page:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIHG47N65E

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:445.1 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

N-Channel Super Junction Power MOSFET

文件:980.46 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.01474 Mbytes Page:4 Pages

MICROSS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:593.16 Kbytes Page:8 Pages

ICEMOS

Icemos Technology

SIHG47N65E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHG47N65E

  • 功能描述

    MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    Vishay/Siliconix

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    700 V

  • 闸/源击穿电压

    20 V

  • 漏极连续电流

    47 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.072 Ohms

  • 配置

    Single

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    TO-247AC-3

  • 封装

    Bulk

更新时间:2025-8-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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