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SIHG28N65E | E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SiHG28N65E | E Series Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHG28N65E | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：417.31 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
E Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES • Fast body diode MOSFET using E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: fo | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET with Fast Body Diode FEATURES • Fast body diode MOSFET using E series technology • Reduced trr, Qrr, and IRRM • Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Low switching losses due to reduced Qrr • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: fo | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：445.12 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：145.31 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
N-Channel Super Junction Power MOSFET ? 文件：797.64 Kbytes Page：10 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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