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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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SIHG28N65E | ESeriesPowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
SIHG28N65E | iscN-ChannelMOSFETTransistor 文件：417.31 Kbytes Page：2 Pages | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | |
ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •FastbodydiodeMOSFETusingEseries technology •Reducedtrr,Qrr,andIRRM •Lowfigure-of-merit(FOM):RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •LowswitchinglossesduetoreducedQrr •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fo | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
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EFSeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode 文件：145.31 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
N-ChannelSuperJunctionPowerMOSFET? 文件：797.64 Kbytes Page：10 Pages | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 |  | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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